Комплект: 1 х 4 ГБ Форм-фактор: 204-контактный SO-DIMM Задержка CAS: CL11 Тайминги: 11-11-11 Ранг памяти: одиночный ранг (1Rx8) Напряжение оперативной памяти: 1,35 В